產(chǎn)品分類
- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
該設(shè)備用于制備多組份、多層復(fù)合的致密的金屬/非金屬、金屬氧化物/氮化物/氮氧化合物、非金屬氧化物/氮化物/氮氧化合物等厚度均勻的薄膜材料，其中靶材可為金屬/非金屬的單組份或多組份材料（包含磁性靶材材料），也可為金屬/非金屬化合物的單組份或多組份材料。樣品能夠在該設(shè)備系統(tǒng)真空室內(nèi)的薄膜沉積處原位退火處理。此外，采用磁控濺射鍍膜后的樣品可以進(jìn)行硒化、硫化處理。
可應(yīng)用于材料學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、微電子、光電子、能源、催化、納米技術(shù)等領(lǐng)域。
詳情介紹：
技術(shù)規(guī)格：
本系統(tǒng)由進(jìn)樣室、硫化/硒化室、兩個(gè)濺射室（3靶位+4靶位）、濺射控制系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、泵抽系統(tǒng)、樣品傳輸控制系統(tǒng)、氣氛控制系統(tǒng)、水循環(huán)制冷系統(tǒng)、完成樣品制備過(guò)程電控系統(tǒng)及電腦/觸摸屏程序控制系統(tǒng)等組成；
系統(tǒng)配置可在真空環(huán)境條件下移動(dòng)樣品的機(jī)械手臂，實(shí)現(xiàn)樣品在腔體之間的移動(dòng),樣品在腔室之間傳遞動(dòng)作完成后15分鐘內(nèi)相關(guān)腔室真空度恢復(fù)到樣品傳遞之前的水平；
兩濺射室可分別實(shí)現(xiàn)3靶位和4靶位的靶材共濺射，相互之間電源等系統(tǒng)無(wú)相互干擾，各靶材單獨(dú)濺射不受其他靶材的影響，且不污染其它靶材；
系統(tǒng)具有完善的自動(dòng)保護(hù)功能,其中硒化/硫化爐的抽氣入口具有防蒸汽侵蝕保護(hù)措施；
各室結(jié)構(gòu)材料均采用上等不銹鋼材料，氬弧焊接和表面拋光處理。
